SEM 樣品金屬涂層設(shè)備MSP-1S的特點

磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當中使用廣泛的一種鍍膜工藝,采用新型陰極使其擁有很高的靶材利用率和高沉積速率,廣東振華科技真空磁控濺射鍍膜工藝現(xiàn)已廣泛用于大面積基材的鍍膜當中.該工藝不僅用于單層膜的沉積,還可鍍制多層的薄膜,此外,還用于卷繞工藝中用于包裝膜、光學(xué)膜宣講活動、貼膜等膜層鍍制高產。

磁控濺射工藝的主要優(yōu)點是可以使用反應(yīng)性或非反應(yīng)性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層,并且可以很好地控制膜層成分、膜厚快速融入、膜厚均勻性和膜層機械性能等.該工藝具備以下特點:

1帶動產業發展、沉積速率大.由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率.與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大發揮作用、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用具有重要意義。

2、功率效率高.磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的最高有效范圍之內(nèi)。

3有力扭轉、濺射能量低.磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。

4深入、基片溫度低.可利用陽極導(dǎo)走放電時產(chǎn)生的電子,而不必借助基材支架接地來完成,可以有效減少電子轟擊基材,因而基材的溫度較低,非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜形式。

5、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕.磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導(dǎo)致,靶的局部位置刻蝕速率較大,使靶材有效利用率較低(僅20%-30%的利用率).因此,想要提高靶材利用率,需要通過一定手段將磁場分布改變,或者利用磁鐵在陰極中移動,也可提高靶材利用率一站式服務。

6功能、復(fù)合靶.可制作復(fù)合靶鍍合金膜,目前,采用復(fù)合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜.復(fù)合靶的結(jié)構(gòu)有四種,分別是圓塊鑲嵌靶支撐作用、方塊鑲嵌靶積極性、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構(gòu)的使用效果為佳。

7解決、應(yīng)用范圍廣.磁控濺射工藝可沉積元素有很多,常見的有:Ag性能、Au、C不斷豐富、Co方案、Cu、Fe同時、Ge實施體系、Mo臺上與臺下、Nb、Ni技術創新、Os效高性、Cr、Pd技術發展、Pt重要的作用、Re、Rh適應性、Si顯著、Ta、Ti更優美、Zr需求、SiO、AlO機構、GaAs非常激烈、U、W更適合、SnO等技術交流。

●用一個按鈕自動涂層。沒有任何繁瑣的操作引人註目。

● φ標準裝備50mm Au-pd目標關註。（購買主機時可變更為可選目標。）

●采用低施加電壓下減輕離子損傷的磁控管方式拓展。

●因為體積小提供堅實支撐、重量輕，所以不選擇設(shè)置場所。

●在SEM的預(yù)處理中發(fā)揮實力創造更多。