正電子壽命譜分析設(shè)備PSA1技術(shù)分析

它是一種可以使用正電子評(píng)估亞納米尺寸（原子級(jí)）的微缺陷和空隙的方法。

正電子壽命測(cè)量是一種能夠使用正電子評(píng)估亞納米尺寸（原子級(jí)）微缺陷和空隙的技術(shù)系統穩定性。

本設(shè)備的應(yīng)用示例

•  噴丸質(zhì)量檢查

• 金屬疲勞損傷評(píng)估

用途

•  鋼背景下、鋁、鈦等各種金屬

•  無(wú)定形材料科技實力，例如玻璃和聚合物

•  測(cè)量深度距表面約 50 μm（鋼材）

正電子壽命法原理

• 圖1是正電子進(jìn)入金屬材料并湮滅的示意圖開展試點。
  正電子壽命測(cè)量方法是一種精確測(cè)量正電子產(chǎn)生過(guò)程中發(fā)射的γ射線(xiàn)與電子對(duì)湮滅過(guò)程中產(chǎn)生的γ射線(xiàn)之間的時(shí)間差（正電子壽命）的技術(shù)。
  當(dāng)材料中存在更多空位并且位錯(cuò)密度更高時(shí)，正電子壽命更長(zhǎng)廣泛認同。

• 規(guī)格

• 正電子源	Na-22 (~1MBq)
  計(jì)數(shù)率	約 100 cps
  測(cè)量范圍	40 ns（用于金屬進入當下、半導(dǎo)體和聚合物）
  附屬設(shè)備	?HDO4024（Teledyne LeCroy DSO）、 （HDO4024 尺寸 W400 × L132 × H292 [mm]） ?特殊程序 ?筆記本電腦等