正電子壽命譜分析設(shè)備PSA1技術(shù)分析

它是一種可以使用正電子評估亞納米尺寸（原子級）的微缺陷和空隙的方法技術創新。

正電子壽命測量是一種能夠使用正電子評估亞納米尺寸（原子級）微缺陷和空隙的技術(shù)。

本設(shè)備的應(yīng)用示例

•  噴丸質(zhì)量檢查

• 金屬疲勞損傷評估

用途

•  鋼進行部署、鋁生產體系、鈦等各種金屬

•  無定形材料，例如玻璃和聚合物

•  測量深度距表面約 50 μm（鋼材）

正電子壽命法原理

• 圖1是正電子進入金屬材料并湮滅的示意圖重要作用。
  正電子壽命測量方法是一種精確測量正電子產(chǎn)生過程中發(fā)射的γ射線與電子對湮滅過程中產(chǎn)生的γ射線之間的時間差（正電子壽命）的技術(shù)更為一致。
  當(dāng)材料中存在更多空位并且位錯密度更高時，正電子壽命更長堅定不移。

• 規(guī)格

• 正電子源	Na-22 (~1MBq)
  計數(shù)率	約 100 cps
  測量范圍	40 ns（用于金屬落地生根、半導(dǎo)體和聚合物）
  附屬設(shè)備	?HDO4024（Teledyne LeCroy DSO）、 （HDO4024 尺寸 W400 × L132 × H292 [mm]） ?特殊程序 ?筆記本電腦等