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日本napson硅片晶圓平整度測量系統(tǒng)

日本napson硅片晶圓平整度測量系統(tǒng)

產(chǎn)品型號: FLA-200

所屬分類:

產(chǎn)品時間:2025-05-03

簡要描述:日本napson硅片晶圓平整度測量系統(tǒng)FLA-200
非接觸式平面度/厚度測量系統(tǒng)。測量晶片樣品的平整度(TTV能運用,BOW,WARP)和厚度參與水平。
-支持測量厚度講理論,TTV,BOW智能設備,翹曲解決問題,場地平面度和整體平面度(符合ASTM)
?支持2-D和3-D映射顯示的軟件
?數(shù)據(jù)可以輸出為CSV文件
?使用5mmφ芯電容探頭進(jìn)行高精度測量
? 60秒內(nèi)進(jìn)行12,000點(diǎn)掃描/高速測量

詳細(xì)說明:

日本napson硅片晶圓平整度測量系統(tǒng)FLA-200

產(chǎn)品特點(diǎn)

非接觸式平面度/厚度測量系統(tǒng)。測量晶片樣品的平整度(TTV不要畏懼,BOW導向作用,WARP)和厚度。

  • -支持測量厚度作用,TTV重要意義,BOW,翹曲應用的選擇,場地平面度和整體平面度(符合ASTM)
  • ?支持2-D和3-D映射顯示的軟件
  • ?數(shù)據(jù)可以輸出為CSV文件
  • ?使用5mmφ芯電容探頭進(jìn)行高精度測量
  • ? 60秒內(nèi)進(jìn)行12,000點(diǎn)掃描/高速測量

測量目標(biāo)

?半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅效率,多晶硅,SiC等)
?硅基外延逐漸顯現,離子注入樣品
?化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi十大行動,GaN Epi,InP著力增加,Ga等)

測量尺寸

3-8英寸

測量范圍

厚度:200 –1200μm
弓形:+/- 350μm
翹曲:350μm

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

非接觸式平面度/厚度測量系統(tǒng)體系。測量晶片樣品的平整度(TTV,BOW大幅增加,WARP)和厚度平臺建設。

  • -支持測量厚度,TTV服務延伸,BOW先進技術,翹曲,場地平面度和整體平面度(符合ASTM)
  • ?支持2-D和3-D映射顯示的軟件
  • ?數(shù)據(jù)可以輸出為CSV文件
  • ?使用5mmφ芯電容探頭進(jìn)行高精度測量
  • ? 60秒內(nèi)進(jìn)行12,000點(diǎn)掃描/高速測量


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