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日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測(cè)量?jī)x

日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測(cè)量?jī)x

產(chǎn)品型號(hào): EC-80

所屬分類:

產(chǎn)品時(shí)間:2025-05-03

簡(jiǎn)要描述:日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測(cè)量?jī)xEC-80
緊湊且易于操作的手動(dòng)非接觸式(渦流法)電阻測(cè)量?jī)x

詳細(xì)說明:

日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測(cè)量?jī)xEC-80

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器環境,只需將樣品插入探針之間即可進(jìn)行測(cè)量
  • 在電阻/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
  • 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
  • *由于探頭是固定的,因此在購(gòu)買前可以從幾種探頭中選擇一種保障。

 

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)材料(硅重要的角色,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管機製,DLC各項要求,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬發力,ITO等)
硅基外延優勢與挑戰,離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物(GaAs Epi集成應用,GaN Epi,InP問題分析,Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)?

測(cè)量尺寸

?8英寸迎來新的篇章,或?156x156mm? 

日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測(cè)量?jī)xEC-80

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[抗頁(yè)電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容不負眾望。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)



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