關(guān)于shinkuu射頻濺射的說明

什么是射頻濺射？

RF濺射是一種使用稱為RF（射頻）的高頻帶電源的濺射方法進入當下。它常被用作直流濺射無法進行的絕緣靶材的濺射電源建強保護。
盡管可以濺射各種靶材，但它往往比直流濺射源更昂貴首次，因為它需要安裝射頻匹配單元等流動性。本頁面提供說明，幫助您了解射頻濺射相關(guān)的原理和基礎(chǔ)知識生產效率。

射頻濺射原理及絕緣靶材

在直流濺射中反應能力，通過向靶材施加負(fù)直流電壓，吸引正離子并發(fā)生濺射現(xiàn)象競爭激烈。然而投入力度，由于絕緣目標(biāo)不導(dǎo)電，目標(biāo)表面會立即被吸引離子的電荷充電凝聚力量，從而無法吸引下一個離子關鍵技術。

另一方面，RF是具有頻率的交流電源，因此施加到目標(biāo)的電壓在正負(fù)之間交替有所提升。因此，正離子和帶負(fù)電的電子都可以被吸引參與能力，使得可以連續(xù)濺射絕緣靶而不引起充電法治力量。

絕緣靶材和背板

許多絕緣靶材都很脆弱，并且經(jīng)常由于濺射薄膜沉積過程中的熱應(yīng)力而破裂應用擴展。因此過程中，當(dāng)使用絕緣靶時，通常將絕緣靶與銦等結(jié)合到被稱為背板的銅板上并進行濺射放電建立和完善。這并不是為了防止裂紋本身特征更加明顯，而是為了防止破裂的目標(biāo)分崩離析。如果目標(biāo)粘合到背板上，即使破裂，它也會保持其形狀估算，因此您可以繼續(xù)按原樣使用它。

射頻匹配

射頻濺射可能需要根據(jù)所使用的靶材和配方調(diào)整匹配單元達到。這是直流濺射不需要的一種準(zhǔn)備工作深入各系統。

通常，將匹配單元內(nèi)部的可變電容器移動到外部的可能性，以抵消反射波并設(shè)置放電區(qū)域進一步推進。然而，有時僅靠這種方法無法產(chǎn)生穩(wěn)定的放電系列，此時請打開匹配單元并進行內(nèi)部調(diào)整明確相關要求。除了可變電容器之外，匹配單元還具有固定電容器和線圈標準，并且通過移除（或附接）該固定電容器來進行調(diào)整喜愛。此外，線圈的每一匝都切有一個螺孔主要抓手，因此可以根據(jù)電線連接到哪個螺孔來改變匝數(shù)。這里可以通過改變線圈長度來進行調(diào)整重要的角色。

此外空間載體，匹配區(qū)域可能會因微小的變化而發(fā)生變化。如果沒有放電或無法匹配要落實好，當(dāng)然需要調(diào)整匹配單元即將展開，但可以通過審查濺射時的真空度、電極罩的形狀相對簡便、地線的連接方式來改進創新科技、同軸電纜的走線方式等也有。

RF點火（點火）

射頻濺射往往比直流濺射更難點燃等離子體特性。造成這種情況的原因之一是上面提到的匹配服務機製，但即使在放電時進行匹配調(diào)整也可能出現(xiàn)這種情況。在這種情況下，需要通過向濺射陰極施加直流電壓作為點火觸發(fā)認為，或者通過暫時增加工藝氣體流量以降低真空度來點燃材料。這是因為濺射放電在真空度差（腔室壓力高）的區(qū)域更容易點燃國際要求。然而紮實，如果在真空條件較差的條件下進行成膜，則會出現(xiàn)薄膜表面不均勻新趨勢、速率下降等問題可能性更大，因此僅在點火時真空度變差，之后維持目標(biāo)真空度放電時用于將壓力降低到一定程度。

濺射率

濺射速率是指通過濺射放電形成薄膜的速度使命責任。單位以 ?/sec（埃每秒）或 nm/sec（納米每秒）表示發展邏輯。

即使輸出相同的功率，RF濺射的濺射速率也比DC濺射低追求卓越。這是因為RF是交流電源發展機遇，因此在效率方面不可避免地不如直流電源。不過性能，不必太擔(dān)心，濺射率不會大幅下降。濺射速率也可以通過調(diào)整T/S距離（靶材到基材的距離）來增加或減少強化意識。

T/S之間的補充距離

如上所述聽得進，T/S距離影響濺射速率。通過縮短T/S距離合理需求，濺射速率變得更快全技術方案，相反，通過增加T/S距離先進水平，濺射速率變得更慢重要的。然而，如果縮短T/S間隔以加快濺射速率共享，沉積薄膜的厚度分布將相應(yīng)惡化高端化。特別是，隨著電路板面積的增加姿勢，這種趨勢會變得更強充分發揮，因此請小心。

在其他情況下有望，縮短T/S距離可能會因等離子體而對基板造成損壞智能設備，相反，拉長T/S距離可能會導(dǎo)致氮從反應(yīng)性目標(biāo)（例如氮化物）中逸出服務效率，有時無法形成氮化物不要畏懼。根據(jù)需要形成薄膜。使用濺射設(shè)備時智慧與合力，根據(jù)用途找到合適的T/S距離也很重要規定。

必要的設(shè)備

當(dāng)使用直流濺射時，您只需要一個直流電源措施，但使用射頻濺射時示範推廣，除了專用的射頻發(fā)生器之外，還需要一個匹配單元，如上所述大大縮短。因此堅持好，與直流濺射相比，其引入成本要高得多高質量。匹配單元也有兩種類型：一種是手動操作內(nèi)部可變電容器構建，另一種是在反饋射頻輸出的同時自動調(diào)整自身。后一種類型更昂貴大幅增加。

另外平臺建設，如果使用射頻電源，還需要申請并獲得使用高頻設(shè)備的許可服務延伸，因此引入射頻濺射需要一定的成本和精力先進技術。

盡管在成本和可用性方面不如直流濺射，但射頻濺射具有能夠使用多種靶材的巨大優(yōu)勢貢獻力量，并且在許多工作場所得到使用合作。

射頻濺射同時放電

有時您可能想要同時放電多個射頻濺射以獲得所需的薄膜。這時需要注意的是頻率間的干擾前景。 RF以13.56 MHz的頻率振蕩，多個以該頻率振蕩的濺射源可能會相互干擾，導(dǎo)致儀表和放電異常進一步。作為解決這些問題的對策宣講手段，一些射頻發(fā)生器型號具有稍微改變頻率以防止相互干擾的功能「采w範圍？紤]同時放電時請記住這些事項一站式服務。

當(dāng)濺射源停止放電時

您是否曾經(jīng)擁有一臺正常工作的濺射裝置，但有一天突然停止產(chǎn)生濺射放電科普活動，或者開始產(chǎn)生異常放電？原因可能是濺射源臟了關鍵技術。
濺射源的接地屏蔽和陰極之間的間隙非常嚴(yán)格逐漸完善。因此，如果樣品薄片堆積在屏蔽上并且與陰極的關(guān)系發(fā)生變化有所提升，則可能會發(fā)生突然的異常放電了解情況。由于其特性，鍍膜設(shè)備越用越臟法治力量，因此我們建議經(jīng)常清潔和維護長期間，以確保長期安全使用。

另外技術研究，主流的成膜濺射源是磁控管型是目前主流，靶材內(nèi)置磁鐵，但長期使用磁鐵的磁力會退磁現場。當(dāng)該磁力低于某個閾值時便利性，濺射源將不再放電。
磁鐵也會因熱量而消磁，因此即使是新的濺射源信息化，如果長時間高輸出放電也會失去磁力力量。了解濺射源的冷卻性能也很重要，以防止這種情況發(fā)生。

即使進行濺射放電也無法達到成膜率時

在進行濺射成膜時方式之一，很少會出現(xiàn)濺射率達不到要求或即使等離子體放電也無法進行成膜的情況。這些可能是由目標(biāo)表面的氧化或腔室中的殘留氣體引起的深刻認識。
例如首要任務，如果將鋁或鐵等容易氧化的靶材保存在大氣中，則靶材表面的氧化會加劇非常激烈，即使進行濺射提升行動，放電率也會較低。在這種情況下技術交流，最好用射頻進行預(yù)濺射并進行清洗交流，直到靶材表面的氧化膜消失，即可獲得良好的速率關註。

此外溝通協調，氮化物等絕緣靶材的濺射速率比導(dǎo)電靶材低得多。因此體製，如果成膜前腔室沒有充分抽真空要落實好，就會殘留大量氣體，即使進行濺射也很少會達不到濺射速率向好態勢。為了防止這種情況發(fā)生相對簡便，最好在沉積絕緣靶材之前確保排空腔室。

ICP（感應(yīng)耦合等離子體）放電

普通磁控濺射成膜采用CCP（電容耦合等離子體）方法更默契了，但也有ICP（電感耦合等離子體）放電組件用于清潔和活化反應(yīng)特性。這涉及到在真空中向線圈施加射頻，使線圈內(nèi)流動的氣體電離或自由基化流程，并將其釋放到基板上共創輝煌。

為了清潔（蝕刻）目的，使稀有氣體（例如Ar）流動等特點、電離并釋放到基板上以促進基板表面上的濺射使用。
還可以通過使用射頻使氮或氧流入自由基并將其釋放到基板上來促進基板上的氮化和氧化反應(yīng)。

該成分不僅可以單獨使用不合理波動，還可以與分子束外延裝置等組合使用建言直達，在利用K電池成膜的同時釋放自由基并促進活性反應(yīng)。 （簡稱RF-MBE）

真空器件用射頻濺射設(shè)備和射頻元件

射頻濺射設(shè)備[VRF-100S]

*照片是正在開發(fā)的原型上高質量。

這是配備有RF電源的高頻濺射裝置精準調控⌒Ц?？尚纬裳趸ぁ⒔^緣膜優化程度、多層膜（5種來源）廣度和深度。

Vacuum Device的射頻濺射設(shè)備VRF-100S標(biāo)配5個可切換的靶材。

產(chǎn)品詳情頁面　?

射頻元件【VMC系列】

我們提供各種嵌入式射頻組件基礎。

有與磁性材料兼容的1英寸日漸深入、2英寸和強磁鐵類型。

作為選項引領作用，還可以打開快門機構(gòu)預期、氣體引入機構(gòu)和DC電源。

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定制產(chǎn)品示例

[安裝射頻濺射槍的定制示例]

這是將射頻組件連接到定制腔室的示例。

這樣加強宣傳，如果現(xiàn)有設(shè)備有ICF業(yè)務(wù)端口可供安裝，則可以對射頻部件進行改造基本情況。