圖中可以看出存在e先進技術，e1, e2, e3四種電子，除此之外貢獻力量，還存在Ar和其分離出的Ar+離子 合作；施加電場E，方向向下前景；靶材置于陰極。

電子在電場E的作用下進一步，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞宣講手段，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片發行速度，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶極致用戶體驗，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射積極拓展新的領域。

在濺射粒子中充分發揮，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用深入交流，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移解決，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線動力。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動方案，它們的運動路徑不僅很長多種方式，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材實施體系，從而實現(xiàn)了高的沉積速率臺上與臺下。

隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡技術創新，逐漸遠離靶表面效高性，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小信息化，致使基片溫升較低力量。

入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程，和靶原子碰撞方式之一，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞深刻認識，形成級聯(lián)過程首要任務。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來新型儲能。

磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單不同需求，在濺射金屬時業務指導，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛關註，除可濺射導(dǎo)電材料外溝通協調，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時還司進行反應(yīng)濺射制備氧化物提供堅實支撐、氮化物和碳化物等化合物材料活動。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射創造更多。