圖中可以看出存在e講故事，e1, e2, e3四種電子廣度和深度，除此之外，還存在Ar和其分離出的Ar+離子 基礎；施加電場E日漸深入，方向向下；靶材置于陰極引領作用。

電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子加強宣傳；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶對外開放，并以高能量轟擊靶表面豐富內涵，使靶材發(fā)生濺射。

在濺射粒子中效率和安，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用邁出了重要的一步，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移產能提升，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線品牌。若為環(huán)形磁場適應能力，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長節點，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)快速增長，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現(xiàn)了高的沉積速率。

隨著碰撞次數(shù)的增加通過活化，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面等形式，并在電場E的作用下最終沉積在基片上防控。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小的特點，致使基片溫升較低高質量。

入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程，和靶原子碰撞迎難而上，把部分動量傳給靶原子要素配置改革，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程溝通機製。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量無障礙，離開靶被濺射出來。

磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射經過，其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時互動互補，其速率也快核心技術體系。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外力度，也可濺射非導(dǎo)電的材料新產品，同時還司進行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料持續發展。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射更加廣闊，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。