半導(dǎo)體制造車間對溫濕度的控制及露點(diǎn)設(shè)備推薦

在半導(dǎo)體制造中提升，水一直是影響較大的污染物之一，統(tǒng)計(jì)顯示相關性，不符合工況要求的水分造成的損失占損失的 25%競爭力。為避免產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量出現(xiàn)問題，在半導(dǎo)體制造過程中必須尤為謹(jǐn)慎地監(jiān)測濕度和溫度水平的必然要求。如濕度是硅晶圓生產(chǎn)過程中關(guān)鍵的因素的過程中，如果空氣太干燥，靜電就會(huì)成為問題發展基礎。

半導(dǎo)體延伸、微電路和微芯片制造需要在制造/加工區(qū)域保持非常精確的條件有很大提升空間。用于半導(dǎo)體組裝或加工的元件通常具有吸濕性要求，因此極易受到高濕度條件的影響。

吸濕成分可以導(dǎo)致：

晶圓制造區(qū)域：在晶圓制造過程中結構，旋轉(zhuǎn)器將顯影劑噴射到晶圓表面，使晶圓上的溶劑迅速蒸發(fā)落到實處，從而冷卻晶圓表面效果。這導(dǎo)致空氣中的水蒸氣凝結(jié)在晶片表面上。晶圓上多余的水會(huì)導(dǎo)致顯影劑的特性發(fā)生變化營造一處》账?？刮g劑還會(huì)吸收水分，導(dǎo)致聚合物膨脹保供。將相對濕度控制在 30% 可以消除將晶圓表面冷卻至晶圓表面周圍空氣露點(diǎn)以下的可能性能力建設，從而防止故障和損壞。

光刻室：光刻室的條件需要保持在 20% 至 35% RH 之間技術創新，溫度約為 700°F醒悟。過多的水分會(huì)導(dǎo)致二氧化硅吸收水分，導(dǎo)致光刻膠粘附不當(dāng)生產體系，從而導(dǎo)致應(yīng)力斷裂和表面缺陷高效利用。

真空抽氣速度更快：如果濕度較高，低溫泵等真空設(shè)備的運(yùn)行會(huì)因水蒸氣負(fù)荷較大而減慢去突破。如果 RH 水平能夠維持在 30-35% 左右品質，則可大大降低，從而提高批處理速度。能運用。

TK-100 在線露點(diǎn)儀的傳感器，采用的是 靜電容量式原理參與水平。 

當(dāng)水分子被夾在兩個(gè)導(dǎo)電層之間的多孔絕緣層 吸收時(shí)講理論，上導(dǎo)電層與下導(dǎo)電層之間的電容將會(huì) 產(chǎn)生變化。 

該電容量通過傳感器內(nèi)部電路被線性的轉(zhuǎn)換為露點(diǎn) 的模擬信號智能設備。 吸濕水分的絕緣層厚度為 0.5 μm 以下解決問題，上層導(dǎo)電金屬層厚度為 0.1 μm 以下服務效率，即使少量 水分的吸附也可迅速反應(yīng)。 

擁有如此薄度的同時(shí)導向作用，傳感器仍保持優(yōu)秀的強(qiáng)韌及耐久性蓬勃發展。

■   靜電容式露點(diǎn)儀

■   測量范圍：-100~20℃dp

■   精度：±2℃dp

■   短交貨期

采用先進(jìn)的傳感器技術(shù)

應(yīng)用：半導(dǎo)體、液晶應用前景、電池指導、電子行業(yè)