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什么是晶圓缺陷檢測設(shè)備預期?

發(fā)布時間:2023-07-26 點(diǎn)擊量:2066

什么是晶圓缺陷檢測設(shè)備?

晶圓缺陷檢測設(shè)備檢測晶圓上的異物和圖案缺陷,并確定缺陷的位置坐標(biāo)(X加強宣傳,Y)。
缺陷包括隨機(jī)缺陷和系統(tǒng)缺陷對外開放。
隨機(jī)缺陷主要是由異物粘附等引起的互動式宣講。 因此,無法預(yù)測它將在哪里發(fā)生用的舒心。 檢測晶圓上的缺陷并定位它們(位置坐標(biāo))是檢測設(shè)備的主要作用共享。
另一方面,系統(tǒng)缺陷是由掩娜嬲故?;虮┞豆に嚄l件引起的姿勢,并且可能發(fā)生在所有轉(zhuǎn)移芯片的電路模式中的同一點(diǎn)。
曝光條件非常困難服務,并且它們發(fā)生在需要微調(diào)的地方重要平臺。
晶圓缺陷檢測設(shè)備通過將圖像與附近芯片的電路模式進(jìn)行比較來檢測缺陷。 因此,傳統(tǒng)的晶圓缺陷檢測設(shè)備可能無法檢測到系統(tǒng)缺陷全面闡釋。
可以在圖案化工藝晶圓或鏡面晶圓上進(jìn)行檢測用上了。 對于它們中的每一個,設(shè)備的配置都是不同的適應性強。 典型的檢測設(shè)備如下所述的特性。

缺陷檢測原理

圖案化晶圓檢測系統(tǒng)

圖案化晶圓檢測設(shè)備包括SEM檢測設(shè)備、明場檢測設(shè)備和暗場檢測設(shè)備能力建設。 它們各有各的特點(diǎn)高效,但基本的缺陷檢測原理是相同的。
半導(dǎo)體
晶圓與具有相同圖案的電子設(shè)備并排制造基礎。
隨機(jī)缺陷通常是由異物等碎屑引起的領域,顧名思義,它們發(fā)生在
晶圓上未定的(隨機(jī))位置要素配置改革。 在特定位置重復(fù)發(fā)生的概率被認(rèn)為非常低。 因此,缺陷檢測設(shè)備通過比較相鄰芯片(也稱為芯片)的圖案圖像并取差異來檢測缺陷無障礙。

圖案化晶圓缺陷檢測原理
圖5-1 圖案化晶圓缺陷檢測原理

圖5-1說明了圖案化晶圓上的缺陷檢測原理體系。
電子束和光沿
芯片陣列捕獲晶圓上圖案的圖像。 為了使缺陷檢查裝置檢測缺陷高產,請將要檢查的模具的圖像(1)與相鄰模具(2)的圖像進(jìn)行比較註入新的動力。
當(dāng)圖像經(jīng)過數(shù)字處理和減去時,如果根本沒有缺陷帶動產業發展,則減法為“0"工藝技術,未檢測到缺陷。 另一方面,如圖所示系統,在減去(2)中的
模具圖像有缺陷后,缺陷的圖像保留在差分圖像(3)中有力扭轉。 然后調解製度,缺陷檢查器檢測到缺陷,并將其與其位置坐標(biāo)進(jìn)行登記形式。

無圖案晶圓檢測系統(tǒng)

無圖案圓檢測系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于晶圓制造商的晶圓出貨檢驗(yàn)覆蓋範圍、設(shè)備制造商的晶圓驗(yàn)收檢驗(yàn)以及設(shè)備清潔度監(jiān)測。它用于設(shè)備狀態(tài)檢查等功能。 設(shè)備狀況檢查還用于設(shè)備制造商的運(yùn)輸檢查和設(shè)備制造商在交付設(shè)備時的驗(yàn)收檢查前沿技術。
將用于清潔監(jiān)測的鏡面晶片裝入制造設(shè)備,在設(shè)備中移動載物臺后積極性,監(jiān)測異物程度并檢查設(shè)備的清潔度深入交流。

ベアウェーハの欠陥検出の原理(1):ウェーハ上全面にレーザービームを照射
圖5-2 無圖案晶圓缺陷檢測原理(1)

圖5-2顯示了無圖案晶圓的缺陷檢測原理解決。
在沒有圖案的情況下,直接檢測缺陷動力,無需任何特定的圖像比較不斷豐富。
激光束照射在旋轉(zhuǎn)晶
上并沿徑向移動(相對)以照射晶片的整個表面。

ベアウェーハの欠陥検出の原理(2):レーザー光線が異物/欠陥に當(dāng)たって生じる散亂光を検出器が検出
圖5-3 無圖案晶圓缺陷檢測原理(2)

當(dāng)晶圓旋轉(zhuǎn)并且激光束擊中異物/缺陷時多種方式,光被散射同時,散射光被檢測器檢測到。 這將檢測異物/缺陷臺上與臺下。 根據(jù)晶圓的旋轉(zhuǎn)角度和激光束的徑向位置幅度,確定并記錄異物/缺陷的坐標(biāo)位置。
面晶圓上的缺陷不僅是異物效高性,還有COP等晶體缺陷各有優勢。

一般來說,明場檢測設(shè)備適用于圖案缺陷的詳細(xì)檢測重要的作用,而暗場檢測設(shè)備可以高速檢測資料,適用于許多晶圓的缺陷檢測。

SEM視覺檢測設(shè)備在晶圓表面上照射電子束重要的意義,以檢測發(fā)射的二次電子和背散射電子深入開展。
SEM視覺檢查系統(tǒng)還檢測以圖像對比度(電壓對比度)形式發(fā)射的二次電子量,該量根據(jù)設(shè)備內(nèi)部布線的傳導(dǎo)狀態(tài)而變化需求。 當(dāng)檢測高縱橫比接觸孔底部的連續(xù)性條件時,可以檢測到超薄的SiO2殘留物更為一致。

コンタクトホール底の殘さ検出例
圖5-4 接觸孔底部殘留物檢測示例

產(chǎn)品介紹

介紹我們的缺陷審查SEM和晶圓檢測設(shè)備陣容各方面。

電子鏡面檢測系統(tǒng) 米瑞利斯VM1000

Mirelis VM1000電子米勒可無損檢測晶體缺陷,例如SiC塊晶圓上的加工損壞以及外延晶片上的層壓缺陷和基底面位錯更適合。

晶圓表面檢測系統(tǒng)LS系列

下一代晶圓表面檢測系統(tǒng)技術交流,以高靈敏度檢測無圖案晶圓上的微小污染物和缺陷

暗場晶圓缺陷檢測系統(tǒng) DI4200

通過高靈敏度檢測和高通量檢測實(shí)現(xiàn)高速產(chǎn)品監(jiān)控。 這是有助于提高良率和降低生產(chǎn)成本的下一代暗場晶圓缺陷檢測系統(tǒng)引人註目。



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