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半導(dǎo)體制造工藝及所需要的檢測設(shè)備解析
由于半導(dǎo)體非常精確,因此有許多制造工藝業務指導。 該過程大致分為兩部分新品技,稱為“前端過程"和“后端過程"。 如果想到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)完成之前的前端工藝創造性,而后處理直到最終的半導(dǎo)體產(chǎn)品完成保持穩定,可能會(huì)更容易理解。
1)電路和圖案設(shè)計(jì) 首先能力,我們?cè)O(shè)計(jì)制造什么樣的半導(dǎo)體,即電路圖案。 由于所需的電路模式因半導(dǎo)體的應(yīng)用而異長足發展,因此設(shè)計(jì)每次也會(huì)發(fā)生變化紮實做。 由于模式復(fù)雜,似乎重復(fù)并完成操作測試規模設備。
2) 光掩模創(chuàng)建 創(chuàng)建一個(gè)掩模支撐作用,用于在半導(dǎo)體襯底上轉(zhuǎn)移步驟1)中設(shè)計(jì)的電路。 到目前為止至關重要,它是使用計(jì)算機(jī)的案頭工作著力提升。
3)硅錠切割半導(dǎo)體的基礎(chǔ)是硅單晶。 首先效率,在保持單晶的同時(shí)將液態(tài)硅拉出以產(chǎn)生硅錠良好。 然后用線鋸將硅錠切成薄片,制成圓盤狀晶圓增強。 由于硅錠是圓形的倍增效應,而半導(dǎo)體通常是方形的,因此一個(gè)晶圓可以獲得的平方數(shù)直接影響生產(chǎn)效率戰略布局。 截至 2022 年重要意義,通常有超過 300 毫米和 450 毫米或更多。
4)拋光硅片硅片表面不平整講道理,因此需要平滑引領。 為了使其光滑,使用研磨材料和拋光墊使其成為鏡面。 這就是 Techne 的露點(diǎn)儀和氧氣計(jì)的用武之地發展成就。 當(dāng)晶圓在拋光后被氧化時(shí)性能,它成為一個(gè)干擾因素,因此需要確認(rèn)氧氣濃度低優勢。
5)硅片的氧化從這里開始設計,制造半導(dǎo)體的層壓過程開始。 在每個(gè)過程中品率,必要的過程重復(fù)多次以制造產(chǎn)品善謀新篇。 氧化硅是一種絕緣層,即不導(dǎo)電的層開展面對面,因此當(dāng)需要絕緣層時(shí)供給,它在高溫下被氧化以形成厚厚的氧化膜。
6)薄膜形成 在硅片的表面上便利性,有一個(gè)附著薄膜的過程拓展應用,薄膜是電路的材料。 薄膜有幾種方法效果較好,但目前實(shí)際使用的方法有兩種集聚效應。 為了去除水分和氧氣貢獻,在真空中進(jìn)行處理或用惰性氣體(如氮?dú)猓∟2)或氬氣(Ar))代替廣泛應用。 如果可以在真空中處理,則首先處于無物的狀態(tài)持續,因此很有可能不存在水分和氧氣等雜質(zhì)情況,因此優(yōu)先選擇。
以下工藝是典型的真空工藝高品質。
CVD(化學(xué)氣相沉積)法:利用待稀釋材料的氣體通過化學(xué)反應(yīng)附著薄膜的方法 濺射法:使用薄膜形成材料的方法等多個領域,該材料通過放電使材料電離,然后將其與硅片表面碰撞以附著薄膜
7)光刻膠應(yīng)用 應(yīng)用所謂的光刻膠統籌,對(duì)光發(fā)生反應(yīng)并抵抗9的蝕刻)哪些領域。 這允許您僅刻錄所需的電路模式。
8)照射曝光光產品和服務,僅將暴露在光線下的區(qū)域的光刻膠膜改變并轉(zhuǎn)移到硅片表面像一棵樹。 可以說,這個(gè)過程需要精細(xì)的技術(shù)不斷創新。 然后高效利用,將其浸入顯影劑中,僅溶解硅晶片的裸露部分去突破。 其余部分的光刻膠膜為9的蝕刻掩模)有所應。
9)蝕刻 這是用溶液刮掉氧化膜和薄膜的過程。 光刻膠殘留的部分不會(huì)被刮擦。 蝕刻類型包括使用溶液的濕法蝕刻和使用氣體的干法蝕刻今年。
10)抗剝離和清潔剩余的光刻膠通過與化學(xué)品和氣體的化學(xué)反應(yīng)剝離空間廣闊。 如果在最后進(jìn)行清潔,則創(chuàng)建預(yù)期的電路真諦所在。
11)離子注入 通過添加通過熱處理活化的雜質(zhì)離子工藝技術,可以改變半導(dǎo)體的特性。
12) 硅片平滑 由于可能會(huì)施加薄膜或硅片本身可能不均勻,因此請(qǐng)重新拋光系統。 7)光刻膠涂層~12)通過重復(fù)該過程直到硅片平滑, 制作所需的電路規模。
13) 電極形成將金屬嵌入硅片中逐步顯現。
14) 晶圓缺陷檢測 一種稱為探針臺(tái)的直立檢測裝置用于測試每塊硅晶圓,以確保其具有最初設(shè)計(jì)的功能。
1) 切割工藝 使用切塊機(jī)近年來,將創(chuàng)建的半導(dǎo)體從晶圓上逐個(gè)切割。
2) 在與電路板接觸的部分安裝導(dǎo)電腳事關全面,以便與鍵合芯片接線交流等。 如果你看看半導(dǎo)體,它們中的大多數(shù)都有自己的腳發展目標奮鬥。
3) 成型 使用樹脂或陶瓷封裝自動化裝置。 如果在此過程中雜質(zhì)進(jìn)入內(nèi)部,則半導(dǎo)體的壽命將縮短規劃,并且首先會(huì)變得有缺陷關規定,因此在控制雜質(zhì)的情況下進(jìn)行處理。 這種處理確保即使有劃痕應用前景,內(nèi)部也不會(huì)破裂指導。
4)完成 執(zhí)行并完成各種測試。
我們周圍的空氣乍一看似乎很干凈兩個角度入手,但實(shí)際上有微小的垃圾關註點,看不見的病毒和細(xì)菌。 當(dāng)在這樣的環(huán)境中進(jìn)行半導(dǎo)體制造時(shí)進入當下,半導(dǎo)體首先具有微觀結(jié)構(gòu)建強保護,因此即使電路之間粘附有細(xì)小灰塵,不良產(chǎn)品的可能性也會(huì)顯著增加技術發展。 它不是半導(dǎo)體重要的作用,但是如果你做手術(shù),如果手術(shù)室在這樣的環(huán)境中自動化,你可能會(huì)擔(dān)心傳染病重要的意義,對(duì)吧? 在這種情況下,創(chuàng)建了符合最高衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)的潔凈室關註度。 潔凈室中的空氣通過高性能過濾器充滿清潔空氣,沒有碎屑。 潔凈室中的氣壓設(shè)置高于外部穩中求進。 這是為了在潔凈室中保持正壓橫向協同,使臟空氣在進(jìn)出時(shí)不會(huì)從外部進(jìn)入。 直到2011年再獲,根據(jù)美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E清潔度等級(jí)穩定性,潔凈室的清潔度標(biāo)準(zhǔn)被稱為100級(jí)或1000級(jí)。 目前敢於挑戰,根據(jù)ISO的規(guī)定資源優勢,每立方米1.0μ或以上的粉塵顆粒數(shù)為1~1級(jí)。 此外過程中,Techne Measurement還有一個(gè)屬于9級(jí)的潔凈室振奮起來。
在半導(dǎo)體開發(fā)和制造過程中,去除顆粒估算、水分和氧氣等干擾因素是一個(gè)主要問題。 為了確認(rèn)消除干擾重要部署,我們的露點(diǎn)儀等地、溫濕度計(jì)和血氧儀用于半導(dǎo)體制造產業、運(yùn)輸和檢查等各種過程數字技術。 還用于除濕空氣(干燥空氣)的除濕,以及測量和控制氮?dú)夤ぞ?、氬氣尤為突出、氦氣、氫氣等的氣體純度倍增效應。 相反結果,有些過程需要大量的水分, 在此過程中重要意義,使用露點(diǎn)計(jì)來確保恒定的水分含量規則製定。 主要使用以下產(chǎn)品。
(1) 將水分含量控制在極少量(ppb ~ 100 位 ppm)的工藝 ? TK-100電容露點(diǎn)儀(氧化鋁型)引領,
可測量低至-60°C露點(diǎn) (660) 以痕量(ppm)控制水分含量的工藝 TE-95 露點(diǎn)儀(聚合物型)低露點(diǎn)可達(dá)?-99°C (060)最重要的工藝表現明顯更佳,MBW鏡面冷卻型(鏡面型)露點(diǎn)儀,可測量高達(dá)?-33°C~+<>°C露點(diǎn)
(<>)需要相對(duì)濕度水平控制的過程潔凈室?簡易EE<>
(<>)需要大量的水分, 需要管理恒定水分含量的過程 EE<>溫濕度計(jì)技術先進,在防止冷凝的環(huán)境中采取措施示範,主要用于測量高溫和高濕度?
(1)需要通過氫氣替代等去除氧氣的工藝 2001LC原電池血氧儀,可確認(rèn)?4100ppm以下
(<>) 需要在無氫氣的情況下測量痕量氧濃度的過程 <>型氧化鋯血氧儀能夠測量低至?ppb水平
(1) 在潔凈室和制造設(shè)備中提高,氣體流動(dòng)很重要的過程 ?能夠測量微風(fēng)的風(fēng)速計(jì)
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