shinkuu濺射設備、磁控濺射原理介紹

什么是飛濺

飛濺是一個表達小粒子如何分散的詞落實落細。
“濺射"是詞源意見征詢，代表散射的象聲詞。
如果你想象一下談話時唾液的飛濺交流等，或者弧焊時飛濺的火花，就會更容易理解發展目標奮鬥。

什么是濺射

真空工業(yè)中的濺射是指用正離子轟擊目標金屬自動化裝置，使目標金屬的顆粒飛離并沉積在物體上狀態。
本頁簡要介紹了我們產(chǎn)品中主要使用的磁控濺射原理，以及其他具有代表性的濺射方法關規定。

磁控濺射原理

散射粒子的濺射技術(shù)有多種更多的合作機會，但我們的濺射設備采用磁控濺射技術(shù)，濺射效率高指導。

其原理是首先在真空中產(chǎn)生等離子體可以使用。
等離子體是一種不穩(wěn)定狀態(tài)，其中帶正電的氣體離子原子（正離子）和帶負電的自由電子自由循環(huán)關註點。由于放置在目標后面的磁鐵的力量廣泛認同，它被密集地捕獲在磁場中。在這個磁場中四處移動的正離子與目標表面的負電位發(fā)生碰撞建強保護。
被彈飛（濺射）的目標金屬顆粒將飛向樣品服務好。即通過利用磁鐵的力量，可以以較少的電力高效地產(chǎn)生等離子體流動性，正離子聚集在磁場強的地方反復碰撞效高化，成為濺射效率高的成膜方法。

磁控濺射法的特點

• 由于高密度等離子體區(qū)域與樣品臺分開進行探討，因此對樣品的損壞很小緊密協作。

• 高沉積率

• 目標利用率低。在高等離子體密度下消耗更多

• 目標僅限于導電金屬和合金

磁控濺射設備配置圖

什么是 2 極濺射管理？

它被認為是直流濺射的原型，也被稱為平行板型。
以靶材為負極穩中求進，樣品側(cè)為正極橫向協同，施加電壓以產(chǎn)生等離子體并從靶材噴出金屬顆粒。
雖然結(jié)構(gòu)簡單再獲，但產(chǎn)生等離子體需要大量的氣體和電壓穩定性，因此引入的氣體會干擾成膜效率。此外敢於挑戰，由于負電子流入樣品資源優勢，溫度升高，樣品損壞過程中。

2極濺射法的特點

• 結(jié)構(gòu)簡單

• 產(chǎn)生等離子體需要大量能量

• 負離子流入正極振奮起來，對樣品造成很大的破壞。

• 目標僅限于導電金屬和合金

兩極濺射裝置配置圖

什么是 RF（射頻）濺射特征更加明顯？

可以濺射絕緣體增多。
由高頻電源經(jīng)由匹配箱（matching box）向電極供電。產(chǎn)生等離子體時，正離子和負離子通過高頻振動估算，流向靶側(cè)和樣品側(cè)活動上。負離子傾向于流向?qū)щ娒娣e大的樣品側(cè)，結(jié)果深入各系統，樣品側(cè)變成正極大型，絕緣靶側(cè)被負偏壓。正離子轟擊負偏壓的靶材進一步推進，濺射絕緣體不可缺少。

射頻濺射法的特點

• 絕緣體濺射是可能的。

• 與直流濺射相比明確相關要求，速率更低服務為一體，對樣品的損傷更大。

• 高頻電源價格昂貴且復雜喜愛，通常使用工業(yè)分配的頻率（13.56 MHz）環境。

• 無電極感應放電也是可能的。

RF（射頻）濺射設備配置圖

相關(guān)產(chǎn)品介紹

設備	特征	目標金屬
	MSP-mini 超小型濺射設備 適用于光學顯微鏡講道理，適合用于制作有光澤的銀膜引領，以及用于 SEM 和臺式 SEM 的預處理。
	MSP-1S 是一種帶有內(nèi)置泵的緊湊型濺射系統(tǒng)更加廣闊。 還可用于濺射鉑靶材優化服務策略，可用于高達約50,000倍的高倍率觀察。

MSP20 系列以高功能和簡單操作的概念開發(fā)示範。具備調(diào)整功能技術節能、自動排氣順序、聯(lián)鎖功能等各種需求的性能陣容發展基礎。各有特點延伸，UM是樣品旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，MT是4英寸靶材要求，TK是鎢濺射能力。

設備	特征	目標金屬
	MSP-20UM 功能*可調(diào)，適用于各種應用運行好。設置條件后國際要求，可以使用全自動按鈕進行自動沉積。 可選傾斜旋轉(zhuǎn)樣品臺同期。提高車削性能新趨勢。 配備氬氣導入，可以鍍上更高純度的貴金屬薄膜鍛造。 聯(lián)鎖和安全機構(gòu)也是重要的濺射設備新體系。
	MSP-20MT 這是4英寸晶圓的濺射系統(tǒng)，配備φ100mm尺寸的靶電極共謀發展。 該設備概念基于 MSP-20搖籃，可對更廣泛的樣品進行涂層追求卓越。
	該設備專為MSP-20TK鎢濺射而開發(fā)。它也可用于超高分辨率 SEM 觀察創新延展。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。 氬氣用作氣氛氣體。風冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升高長效機製。

這是一種特殊的濺射設備，支持在半導體制造過程中對大面積晶片進行濺射聽得進。提供 8 英寸和 12 英寸兩種尺寸像一棵樹。

設備	特征	目標金屬
	采用磁控靶電極實現(xiàn)了直徑為200 mm的大面積樣品臺，以滿足更大尺寸的MSP-8in硅襯底的需求不斷創新。更大的樣品臺可以同時鍍膜 8 英寸晶圓和多個 SEM 樣品高效利用，從而提高檢測工作的效率。
	采用磁控靶電極實現(xiàn)了直徑為300 mm的大面積樣品臺去突破，以滿足更大尺寸的MSP-12in硅基板的需求品質。更大的樣品臺可同時鍍膜 12 英寸晶圓和多個 SEM 樣品，提高檢測工作效率。

這是一款能夠濺射各種金屬的型號能運用，包括備受關(guān)注的鎢。它用于廣泛的領(lǐng)域參與水平，從表面觀察到實驗應用講理論。高潔凈度的真空區(qū)域?qū)τ谥谱鞯臉悠肥遣豢缮?/span>的。MSP-40T 可通過渦輪泵排氣在真空區(qū)域進行濺射智能設備。

設備	特征	目標金屬
	MSP-40T 多用途實驗沉積系統(tǒng)解決問題。新型號配備全自動沉積功能。 高效沉積不要畏懼，高速排氣導向作用，操作簡單。使用強磁場可以形成多金屬膜規定。 使用渦輪泵和隔膜泵可實現(xiàn)清潔的高真空可持續。是一款價格低廉、性價比高的設備示範推廣。 沉積靶材：Au情況、Ag、Pt大大縮短、Au-Pd堅持好、Pd、Cu高質量、Cr構建、Pt-Pd緊密相關、Ni、Fe平臺建設、W重要組成部分、Mo、Ta兩個角度入手、Ti關註點、Al、ITO等進入當下。 可以濺射各種金屬靶材建強保護。