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shinkuu濺射設備特點、磁控濺射原理介紹

發(fā)布時間:2022-10-25 點擊量:1609

shinkuu濺射設備、磁控濺射原理介紹

什么是飛濺

飛濺是一個表達小粒子如何分散的詞落實落細。
“濺射"是詞源意見征詢,代表散射的象聲詞。
如果你想象一下談話
時唾液的飛濺交流等,或者弧焊時飛濺的火花,就會更容易理解發展目標奮鬥。

什么是濺射

真空工業(yè)中的濺射是指用正離子轟擊目標金屬自動化裝置,使目標金屬的顆粒飛離并沉積在物體上狀態。
本頁簡要介紹了我們產(chǎn)品中主要使用的磁控濺射原理,以及其他具有代表性的濺射方法關規定。


磁控濺射原理

散射粒子的濺射技術(shù)有多種更多的合作機會,但我們的濺射設備采用磁控濺射技術(shù),濺射效率高指導。

其原理是首先在真空中產(chǎn)生等離子體可以使用。
等離子體是一種不穩(wěn)定狀態(tài),其中帶正電的氣體離子原子(正離子)和帶負電的自由電子自由循環(huán)關註點。由于放置在目標后面的磁鐵的力量廣泛認同,它被密集地捕獲在磁場中。在這個磁場中四處移動的正離子與目標表面的負電位發(fā)生碰撞建強保護。
被彈飛(濺射)的目標金屬顆粒將飛向樣品服務好。即通過利用磁鐵的力量,可以以較少的電力高效地產(chǎn)生等離子體流動性,正離子聚集在磁場強的地方反復碰撞效高化,成為濺射效率高的成膜方法。

磁控濺射法的特點

  • 由于高密度等離子體區(qū)域與樣品臺分開進行探討,因此對樣品的損壞很小緊密協作。

  • 高沉積率

  • 目標利用率低。在高等離子體密度下消耗更多

  • 目標僅限于導電金屬和合金

磁控濺射設備配置圖

什么是 2 極濺射管理?

它被認為是直流濺射的原型,也被稱為平行板型。
以靶材為負極穩中求進,樣品側(cè)為正極橫向協同,施加電壓以產(chǎn)生等離子體并從靶材噴出金屬顆粒。
雖然結(jié)構(gòu)簡單再獲,但產(chǎn)生等離子體需要大量的氣體和電壓穩定性,因此引入的氣體會干擾成膜效率。此外敢於挑戰,由于負電子流入樣品資源優勢,溫度升高,樣品損壞過程中。

2極濺射法的特點

  • 結(jié)構(gòu)簡單

  • 產(chǎn)生等離子體需要大量能量

  • 負離子流入正極振奮起來,對樣品造成很大的破壞。

  • 目標僅限于導電金屬和合金

兩極濺射裝置配置圖

什么是 RF(射頻)濺射特征更加明顯?

可以濺射絕緣體增多。
由高頻電源經(jīng)由匹配箱(matching box)向電極供電。產(chǎn)生等離子體時,正離子和負離子通過高頻振動估算,流向靶側(cè)和樣品側(cè)活動上。負離子傾向于流向?qū)щ娒娣e大的樣品側(cè),結(jié)果深入各系統,樣品側(cè)變成正極大型,絕緣靶側(cè)被負偏壓。正離子轟擊負偏壓的靶材進一步推進,濺射絕緣體不可缺少。

射頻濺射法的特點

  • 絕緣體濺射是可能的。

  • 與直流濺射相比明確相關要求,速率更低服務為一體,對樣品的損傷更大。

  • 高頻電源價格昂貴且復雜喜愛,通常使用工業(yè)分配的頻率(13.56 MHz)環境。

  • 無電極感應放電也是可能的。

RF(射頻)濺射設備配置圖

相關(guān)產(chǎn)品介紹

設備特征目標金屬
MSP-mini
超小型濺射設備
適用于光學顯微鏡講道理,適合用于制作有光澤的銀膜引領,以及用于 SEM 和臺式 SEM 的預處理。
MSP-1S
是一種帶有內(nèi)置泵的緊湊型濺射系統(tǒng)更加廣闊。
還可用于濺射鉑靶材優化服務策略,可用于高達約50,000倍的高倍率觀察。

MSP20 系列以高功能和簡單操作的概念開發(fā)示範。具備調(diào)整功能技術節能、自動排氣順序、聯(lián)鎖功能等各種需求的性能陣容發展基礎。各有特點延伸,UM是樣品旋轉(zhuǎn)機構(gòu),MT是4英寸靶材要求,TK是鎢濺射能力。

設備特征目標金屬
MSP-20UM
功能*可調(diào),適用于各種應用運行好。設置條件后國際要求,可以使用全自動按鈕進行自動沉積。
可選傾斜旋轉(zhuǎn)樣品臺同期。提高車削性能新趨勢。
配備氬氣導入,可以鍍上更高純度的貴金屬薄膜鍛造。
聯(lián)鎖和安全機構(gòu)也是重要的濺射設備新體系。
MSP-20MT
這是4英寸晶圓的濺射系統(tǒng),配備φ100mm尺寸的靶電極共謀發展。
該設備概念基于 MSP-20搖籃,可對更廣泛的樣品進行涂層追求卓越。

該設備專為MSP-20TK鎢濺射而開發(fā)。它也可用于超高分辨率 SEM 觀察創新延展。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。
氬氣用作氣氛氣體。風冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升高長效機製。

這是一種特殊的濺射設備,支持在半導體制造過程中對大面積晶片進行濺射聽得進。提供 8 英寸和 12 英寸兩種尺寸像一棵樹。

設備特征目標金屬

采用磁控靶電極實現(xiàn)了直徑為200 mm的大面積樣品臺,以滿足更大尺寸的MSP-8in硅襯底的需求不斷創新。更大的樣品臺可以同時鍍膜 8 英寸晶圓和多個 SEM 樣品高效利用,從而提高檢測工作的效率。

采用磁控靶電極實現(xiàn)了直徑為300 mm的大面積樣品臺去突破,以滿足更大尺寸的MSP-12in硅基板的需求品質。更大的樣品臺可同時鍍膜 12 英寸晶圓和多個 SEM 樣品,提高檢測工作效率。

這是一款能夠濺射各種金屬的型號能運用,包括備受關(guān)注的鎢。它用于廣泛的領(lǐng)域參與水平,從表面觀察到實驗應用講理論。高潔凈度的真空區(qū)域?qū)τ谥谱鞯臉悠肥遣豢缮?/span>的。MSP-40T 可通過渦輪泵排氣在真空區(qū)域進行濺射智能設備。

設備特征目標金屬
MSP-40T
多用途實驗沉積系統(tǒng)解決問題。新型號配備全自動沉積功能。
高效沉積不要畏懼,高速排氣導向作用,操作簡單。使用強磁場可以形成多金屬膜規定。
使用渦輪泵和隔膜泵可實現(xiàn)清潔的高真空可持續。是一款價格低廉、性價比高的設備示範推廣。
沉積靶材:Au情況、Ag、Pt大大縮短、Au-Pd堅持好、Pd、Cu高質量、Cr構建、Pt-Pd緊密相關、Ni、Fe平臺建設、W重要組成部分、Mo、Ta兩個角度入手、Ti關註點、Al、ITO等進入當下。
可以濺射各種金屬靶材建強保護。


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