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壓電材料 ScAlN 薄膜厚度檢測(cè)技術(shù)介紹

發(fā)布時(shí)間:2022-07-05 點(diǎn)擊量:1612

壓電材料 ScAlN 薄膜厚度檢測(cè)技術(shù)介紹

一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)平臺建設、價(jià)格低廉、用途廣泛的臺(tái)式薄膜厚度測(cè)量系統(tǒng)探討,已安裝了 5,000 多臺(tái)新技術。它可用于從研發(fā)到生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)在線測(cè)量的廣泛應(yīng)用培養。
F20可以在1秒左右輕松測(cè)量透明或半透明薄膜的膜厚共創美好、折射率和消光系數(shù)。
它還支持多點(diǎn)在線測(cè)量高效流通,并支持RS-232C和TCP/IP等外部通信預判,因
此可以從PLC或上位機(jī)控制。

 ScAlN 薄膜厚度檢測(cè)特點(diǎn)

 

  • 支持廣泛的薄膜厚度(1 nm 至 250 μm)

  • 支持寬波長(zhǎng)范圍(190nm 至 1700nm)

  • 強(qiáng)大的膜厚分析

  • 光學(xué)常數(shù)分析(折射率/消光系數(shù))

  • 緊湊型外殼

  • 支持在線測(cè)量

測(cè)厚技術(shù)的主要用途

平板 單元間隙有力扭轉、聚酰亞胺調解製度、ITO、AR薄膜提高鍛煉、
各種光學(xué)薄膜等
半導(dǎo)體 抗蝕劑統籌推進、氧化膜、氮化膜進行培訓、非晶/多晶硅等
光學(xué)鍍膜 減反射膜科普活動、硬涂層等
薄膜太陽(yáng)能電池 CdTe、CIGS關鍵技術、非晶硅等
  砷化鋁鎵(AlGaAs)逐漸完善、磷化鎵(GaP)等
醫(yī)療保健 鈍化、藥物涂層等

相關(guān)設(shè)備介紹

 

模型 F20-UV F20 F20-近紅外 F20-EXR F20-UVX
測(cè)量波長(zhǎng)范圍 190 – 1100nm 380 – 1050nm 950 – 1700nm 380 – 1700nm 190 – 1700nm
膜厚測(cè)量范圍 1nm – 40μm 15nm – 70μm 100nm – 250μm 15nm – 250μm 1nm – 250μm
準(zhǔn)確性* ± 0.2% 薄膜厚度 ± 0.4% 薄膜厚度 ± 0.2% 薄膜厚度
1納米 2納米 3納米 2納米 1納米
測(cè)量光斑直徑 支持1.5 毫米或 0.5 毫米最小 0.1 毫米(可選)
光源

氘·

鹵素

鹵素

氘·

鹵素

* 由 Filmometry 提供的在 Si 基板上測(cè)量 SiO2 薄膜時(shí)的設(shè)備主體精度有所提升。


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