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日本昭和電子硅晶片非接觸式紅外光測厚原理介紹

發(fā)布時間:2022-06-14 點(diǎn)擊量:1805

日本昭和電子硅晶片非接觸式紅外光測厚原理介紹


我們以非接觸方式測量硅晶片、藍(lán)寶石綜合措施、玻璃等的厚度和形狀多元化服務體系。
我們提出并開發(fā)滿足客戶需求的測量儀器,例如光學(xué)干涉法和位移計法攜手共進。

 

使用紅外光的非接觸式厚度測量技術(shù)

紅外線穿過特定的物質(zhì)實力增強。
它是一種利用該特性以非接觸方式測量特定物質(zhì)厚度的技術(shù)。

由于電子設(shè)備中使用的硅擴大公共數據、藍(lán)寶石、石英和其他化合物的表面經(jīng)過高精度拋光,因此不能使用接觸式厚度測量設計標準,因?yàn)樗鼤潅砻妗?/span>
此外深度,由于材料變形,無法通過接觸式準(zhǔn)確測量橡膠經過、薄膜重要工具、軟樹脂等的厚度。

激光和電容通常用于以非接觸方式測量厚度,但這些是位移計提供有力支撐,不能測量絕對值創造。絕對值可以通過我們的紅外光法測量。

 

紅外光測厚原理

當(dāng)紅外光投射到工件上時分析,它首先在表面上反射。
此外,紅外光通過工件內(nèi)部并在背面反射合規意識。
表面反射光和背面反射光被光學(xué)探頭接收聽得懂,利用前后表面反射光的時間差作為光干涉差來測量厚度。

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可以在多層中進(jìn)行單獨(dú)的厚度測量

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從這個原理來看協調機製,在如上圖所示的多層工件的情況下設備製造,可以從每個反射光的干涉差來測量單個厚度。

 

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以上是PC上顯示反射光干涉狀態(tài)的界面高質量發展。
從波形的左邊看資源配置,它變成了R1到R4的干擾波。每個干涉差(Peak to Peak)是每一層的厚度攻堅克難。

 

 

絕對值測量的優(yōu)點(diǎn)

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《相對值的測量》

位移傳感器是一種相對值測量機遇與挑戰,將距離差作為厚度測量。因此相關,有必要準(zhǔn)備一個參考平面(零點(diǎn))取得明顯成效。
此外,如果到參考平面的距離 (Gs) 并不總是恒定的影響力範圍,則會出現(xiàn)錯誤大力發展。如果不能保持或隨時間變化參與能力,則必須為每次測量重新設(shè)置零點(diǎn)各領域。

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<< 絕對值測量 >>

由于紅外光的測量是通過從正面和背面反射光的干涉差異獲得的問題分析,因此只需將工件放在傳感器頭下方即可測量厚度的絕對值共享。
即使到工件的距離(Ga)有輕微波動實踐者,如果范圍小于最大測量厚度(約4毫米)-工件厚度(t)技術創新,測量值和精度也不會受到影響形式。


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☆ 如果是允許紅外光通過的物質(zhì)能運用,可以在不使材料變形的情況下測量厚度至關重要。

☆ 可測量厚度絕對值

☆ 可進(jìn)行多層測量

☆ 測量距離可任意設(shè)置主動性,最大可達(dá)1000mm左右,可保持0.1μm的測量精度改進措施。




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