日本沃康valcom壓力傳感器的工作原理

傳感器芯片結構

在硅芯片受壓部（硅膜片）中不容忽視，與通常的IC制造工序相同，通過雜質擴散形成硅量規(guī)記得牢。
當壓力施加到硅芯片上時組建，表電阻根據(jù)撓度變化，并轉換為電信號服務體系。（磁阻效應）
該量規(guī)的特征在于大的量規(guī)比進展情況。（金屬規(guī)格為2-3，硅規(guī)格為10到100）特點。
結果研究，可以獲得高輸出，使得可以用厚的膜片來制造綠色化發展，并且改善了壓力傳感器的耐壓性去創新。

目標模型

半導體壓力傳感器
VDP4結論，VSW2（用于低壓）等

半導體膜片式壓力傳感器的結構和操作說明

半導體膜片式壓力傳感器是與測量介質直接接觸的具有高耐腐蝕性的金屬膜片（相當于Hastelloy C-22，SUS316L等）體系，以及通過壓力傳感器檢測壓力的硅芯片（硅膜片）足夠的實力。密封的硅油。）用于雙隔膜方法提高。
SUS316L膜片（或等效的Hastelloy C-22等）通過壓力入口與測量介質直接接觸全面闡釋，可以穩(wěn)定地測量未浸入其中的介質（空氣，水結構，油等）智能化。 .. [當連接螺釘?shù)男螤顬镚3 / 8時，將使用O形圈（氟橡膠）來密封管道拓展基地。]

特征

• 可以制造可以測量正壓力綜合措施，負壓力，耦合壓力和絕dui壓力的各種傳感器元件業務。
• 與介質直接接觸的壓力接收元件等效于Hastelloy C-22，并且可以用SUS316L制造，因此具有出色的耐腐蝕性完善好。
• 由于硅芯片的厚膜片可檢測壓力促進進步，因此具有出色的耐壓性?

目標模型

半導體膜片式壓力傳感器
VESW，VESX全過程，VESY更高要求，VESZ，VHR3優勢領先，VHG3經驗分享，VAR3，VAG3新技術，VPRNP培養，VPNPR，VPNPG趨勢，VNF高效流通，HS1，HV1，AS1有力扭轉，AV1，NS1深入，NV1形式，VESI，VESV設備製造，VSW2有效性，VST等高質量發展。

應變片式壓力傳感器的結構和操作說明

左側所示的電阻橋安裝在受壓部的金屬膜的背面，將施加壓力時金屬膜的變形量檢測為電壓變化形勢。
由于在金屬膜片表面上有一些應變量大的地方和有應變量小的地方攻堅克難，所以安裝了四個電阻器，即使應變量有偏差高效節能，也可以正確地檢測到相關。

特征

• 膜片的整體結構無焊接/ O型圈接頭，堅固耐用
• 可以高精度和高溫（150°C）進行制造

目標模型

應變片式壓力傳感器
VSD4基地，NSMS-A6VB充足，HSSC，HSSC-A6V表現，VHS異常狀況，VHST，HSMC2的積極性，HSMC更多可能性，VPE，VPB高效，VPRT分析，VPRTF，VPRQ質量，VPRQF，VPVT，VPVTF不久前，VPVQ緊迫性，VPVQF，VPRF體系，VFM系統穩定性，VF ，VFS多種場景，VTRF，VPRF2開展試點，VPRH2等集中展示。

薄膜壓力傳感器的結構和操作說明

我們的薄膜壓力傳感器使用隔膜型，并使用金屬規(guī)格的薄膜規劃。當從壓力入口施加壓力時建設，膜片變形，并且檢測到由在膜片上形成的金屬規(guī)格薄膜的變形引起的電阻變化發展。
它具有比應變儀型壓力傳感器更高的靈敏度輸出，并且比半導體型壓力傳感器具有更低的溫度系數(shù)的特性在此基礎上。

特征

• 恒定的溫度系數(shù)，具有非常好的溫度特性
• 可以長時間獲得穩(wěn)定的輸出探索創新，并且隨時間變化很小開展。
• 可以承受高溫（200°C）

目標模型

VSW2

測量原理

當在金屬量規(guī)薄膜上施加壓力并且在輸入端有電流流動時發(fā)生變形時，它表現(xiàn)為輸出側電信號的變化前來體驗。