日本advance2ω法納米薄膜熱導(dǎo)儀TCN-2ω

產(chǎn)品型號(hào)：

所屬分類：熱導(dǎo)率

產(chǎn)品時(shí)間：2025-05-03

簡(jiǎn)要描述：日本advance2ω法納米薄膜熱導(dǎo)儀TCN-2ω
該設(shè)備是世界上唯yi使用2ω方法測(cè)量納米薄膜在厚度方向上的導(dǎo)熱率的商用設(shè)備開放以來。與其他方法相比要求，樣品的生產(chǎn)和測(cè)量更加容易。

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日本advance2ω法納米薄膜熱導(dǎo)儀TCN-2ω

該設(shè)備是世界上唯yi使用2ω方法測(cè)量納米薄膜在厚度方向上的導(dǎo)熱率的商用設(shè)備提供有力支撐。與其他方法相比實際需求，樣品的生產(chǎn)和測(cè)量更加容易。

使用

• 量化低K絕緣膜的熱阻性能，以用于半導(dǎo)體器件的熱設(shè)計(jì)
• 絕緣膜的開發(fā)和散熱的改善
• 在熱電薄膜中的應(yīng)用評(píng)價(jià)

特征

• 可以測(cè)量在基板上形成的20至1000nm的薄膜的厚度方向上的熱導(dǎo)率。
• 使用熱反射法通過溫度幅度檢測(cè)實(shí)現(xiàn)測(cè)量
• 易于預(yù)處理的測(cè)量樣品

日本advance2ω法納米薄膜熱導(dǎo)儀TCN-2ω

規(guī)格

測(cè)量原理

關(guān)于“在絕熱邊界條件下通過2ω法評(píng)估薄片樣品的導(dǎo)熱系數(shù)”的論文

當(dāng)金屬薄膜以f / Hz的頻率加熱時(shí)，加熱量變化為2f / Hz強化意識。
在充分散熱的條件下，金屬薄膜（0）–薄膜（1）–基板（s）的三層系統(tǒng)中金屬薄膜表面的溫度變化T（0）是一維的穿過金屬薄膜/薄膜深入，以下公式用于表示傳熱模型的解析解合理需求。

（Λ：導(dǎo)熱率W m ^-1 K ^-1，C：體積比熱容JK ^-1 m ^-3基本情況，q：每體積的熱量W m ^-3先進水平，d：厚度m，ω：角頻率（=2πf） / s ^-1）

由于實(shí)數(shù)解（同相振幅）包含薄膜的信息充分發揮，因此在相同條件下以不同頻率進(jìn)行測(cè)量時(shí)共享，同相振幅與（2ω）^-0.5成比例。
的熱導(dǎo)率λ ₁所述的薄膜是通過以下公式獲得全面展示。
（M：斜率姿勢，n：截距）

Si基板上的SiO ₂薄膜（20-100 nm）的示例